III-V族化合物半導體是國家在先進材料領域重點發(fā)展的戰(zhàn)略方向，所制備的半導體器件在國民經(jīng)濟和國防建設等領域發(fā)揮至關重要的作用。然而，界面問題貫穿于“材料生長→結(jié)構(gòu)設計→器件制程”的全線程，是實現(xiàn)高性能器件的關鍵挑戰(zhàn)。

因此，項目組通過產(chǎn)學研協(xié)同攻關，發(fā)明III-V族半導體的低溫外延生長技術、設計多種異質(zhì)界面結(jié)構(gòu)以及高效的晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術，解決了III-V族化合物半導體材料與器件的界面問題，所研制的多種高性能半導體器件已應用于國內(nèi)多家知名企業(yè)的生產(chǎn)及多項國內(nèi)外重大工程。

近三年累計新增銷售超過17.8億元人民幣，取得了顯著的經(jīng)濟和社會效益。該技術發(fā)明擺脫了國外相關核心技術封鎖，解決了我國多項卡脖子技術難題。

地下空間開發(fā)利用已提升為國家戰(zhàn)略。城市地下結(jié)構(gòu)的規(guī)模越來越大，抗浮問題越來越突出，解決抗浮問題成為地下工程建設的關鍵。

課題組經(jīng)過15年的系統(tǒng)研究，創(chuàng)新劃分了平地、坡地、臨江三類場地的抗浮設計類型，提出了對應的水浮力計算方法。提出了多層區(qū)域復雜滲流場“有限元+解析解降維”計算理論，揭示了無砂混凝土長期通暢的機理，幾何和力學條件；截滲帷幕滲流穩(wěn)定機理和自愈條件。發(fā)明大直徑無砂混凝土減壓井截排減壓抗浮成套技術，以及排水廊道自流減壓抗浮成套技術，解決了主動抗浮技術在強透水地層，以及坡地、臨江條件下的應用難題。

在基礎理論研究、技術體系創(chuàng)新及工藝產(chǎn)品研發(fā)、工程驗證及應用、規(guī)范標準編制等方面取得一系列研究成果，獲授權發(fā)明專利23件、發(fā)表SCI/EI收錄論文93篇、主編行業(yè)和廣東省標準各1部。成果應用于建筑、交通、水利等行業(yè)，廣東、四川、云南等省市近100項工程。

項目針對淀粉改性反應效率低、產(chǎn)品穩(wěn)定性不足，淀粉深加工產(chǎn)品附加值低、應用領域窄等行業(yè)難題，發(fā)明了淀粉高效疏水改性、多酶協(xié)同糖化和可控酶解等淀粉高值化加工關鍵技術。

通過淀粉預處理技術實現(xiàn)了淀粉高效反應，降低了產(chǎn)品成本，提高了產(chǎn)品穩(wěn)定性；開發(fā)了具有包埋、乳化穩(wěn)定、表面活性和脂肪替代功能的乳化淀粉、淀粉基表面活性劑、流動性淀粉和高純麥芽糖漿等淀粉深加工產(chǎn)品。

研究成果獲授權發(fā)明專利18項，其中國際PCT 2項、授權美國發(fā)明專利1項，出版《食用變性淀粉》等專著2部。相關核心技術在廣州浪奇、廣州雙橋和東莞東美等多家大中型企業(yè)推廣應用，提升了高端變性淀粉、日化產(chǎn)品和淀粉糖品的產(chǎn)品質(zhì)量和技術水平。

圖片來源：廣東衛(wèi)視

文字來源：科學技術處